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TSMCCoWoS技術的具體實現(xiàn)方法

2021-08-23 14:37 來源:C114通信網(wǎng) 作者:蘭心雪 閱讀量:11011 

據(jù)外媒Wccftech報道,TSMC最近幾天公布了CoWoS封裝技術路線圖,并宣布第五代CoWoS技術已經(jīng)應用并量產(chǎn),可在基板上封裝8個HBM2e緩存,總容量128GB。

TSMC的這項技術已經(jīng)發(fā)展了很多年CoW是指在襯底上封裝硅片,而WoW是指在基板上層壓另一個基板

官方表示,第五代技術的晶體管數(shù)量是第三代技術的20倍新的封裝技術將夾層面積增加了3倍,采用了全新的TSV解決方案和更粗的銅連接線目前,該技術已用于制造AMD MI200畢宿五,專業(yè)計算卡,封裝2個GPU內(nèi)核和8個HBM2e緩存

根據(jù)路線圖,TSMC第六代CoWoS封裝技術預計將于2023年推出它還在基板上封裝了兩個計算內(nèi)核,并且可以在板上搭載多達12個HBM緩存芯片

TSMC還表示,新技術還采用了更好的導熱方式第五代技術采用金屬導熱材料,熱阻降低到上一代的0.15倍,有利于這類高性能芯片的散熱

IT之家了解到,AMD在7月底透露,搭載CDNA 2架構的本能MI200 Alderbaran計算卡已經(jīng)發(fā)貨交付該產(chǎn)品擁有多達256個計算單元,總共16,384個流處理器和16個SE著色器單元

TSMC CoWoS技術的具體實現(xiàn)方法:

以下是TSMC考沃斯技術的詳細描述:

官方數(shù)據(jù)顯示,2022年將推出5nm,3nm工藝的芯片,芯片間互連線間距將從9微米逐漸減小到0.9微米,預計2035年前實現(xiàn)。

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